貼片晶振又稱SMD晶振，可分為無(wú)源晶振和有源晶振。無(wú)源晶振是晶體（crystal），而有源晶振被稱為振蕩器（oscillator）。

無(wú)源晶振需要時(shí)鐘電路的幫助來(lái)產(chǎn)生振蕩信號(hào)，并且不能自行振蕩，有源晶振是一個(gè)完整的諧振振蕩器。石英晶體振蕩器和石英晶體諧振器都是提供穩(wěn)定電路頻率的電子器件。石英晶體振蕩器利用應(yīng)時(shí)晶體振蕩器的壓電效應(yīng)開(kāi)始振動(dòng)，而石英晶體諧振器利用應(yīng)時(shí)晶體和內(nèi)置集成電路共同工作。振蕩器直接用在電路中。通常，諧振器需要提供3.3V電壓來(lái)維持工作。振蕩器比諧振器有一個(gè)更重要的技術(shù)參數(shù):諧振電阻，諧振器沒(méi)有電阻要求。RR直接影響電路的性能，因此它是企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的重要參數(shù)。芯片晶體振蕩器的主要參數(shù)

總頻率差:晶體振蕩器頻率和給定標(biāo)稱頻率在指定時(shí)間內(nèi)由于所有指定工作和非工作參數(shù)的組合而產(chǎn)生的最大偏差。總頻率差包括由頻率溫度穩(wěn)定性引起的最大頻率差、由頻率老化率引起的偏差、頻率電壓特性和頻率負(fù)載特性。一般而言，僅在涉及短期頻率穩(wěn)定性時(shí)使用，并且不嚴(yán)格要求其他頻率穩(wěn)定性指標(biāo)。

頻率穩(wěn)定性:任何晶體振蕩器的頻率不穩(wěn)定性都是絕對(duì)的，程度不同。晶體振蕩器的輸出頻率隨時(shí)間變化。該曲線顯示了頻率不穩(wěn)定性的三個(gè)因素:老化、漂移和短穩(wěn)定性。

啟動(dòng)特性(頻率穩(wěn)定預(yù)熱時(shí)間):指從啟動(dòng)后的一段時(shí)間(如5分鐘)到啟動(dòng)后的另一段時(shí)間(如1小時(shí))的頻率變化率。這表明晶體振蕩器已經(jīng)達(dá)到穩(wěn)定的速度。該指示器對(duì)于頻率計(jì)等頻繁切換的儀器非常有用。

頻率老化率:在恒定環(huán)境條件下測(cè)量振蕩器頻率時(shí)石英晶體振蕩器頻率與時(shí)間的關(guān)系。這種長(zhǎng)期頻率漂移是由晶體元件和振蕩器電路元件的緩慢變化引起的。因此，頻移的速率被稱為老化速率，其可以用特定時(shí)間限制后的最大變化速率(例如，加電后72小時(shí)±10 ppm/天)或特定時(shí)間限制內(nèi)的最大總頻率變化速率(例如±1 ppm/(第一年)和+/-5 ppm/(十年))來(lái)表示。

晶體老化是由晶體生產(chǎn)過(guò)程中的應(yīng)力、污染物、殘余氣體、結(jié)構(gòu)和工藝缺陷等問(wèn)題引起的。只有經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的改變，壓力才能穩(wěn)定下來(lái)。一種被稱為“應(yīng)力補(bǔ)償”(SC cutting method)的晶體切割方法使晶體具有更好的特性。

短期穩(wěn)定性:短期穩(wěn)定性，觀察時(shí)間為1毫秒、10毫秒、100毫秒、1秒、10秒。晶體振蕩器的輸出頻率受內(nèi)部電路(晶體的Q值、元件噪聲、電路穩(wěn)定性、工作狀態(tài)等)的影響。)導(dǎo)致寬光譜不穩(wěn)定性。測(cè)量一系列頻率值后，使用艾倫方程進(jìn)行計(jì)算。相位噪聲也能反映短而穩(wěn)定的條件(測(cè)量需要特殊儀器)。

再現(xiàn)性:定義:晶體振蕩器在長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行后關(guān)閉。晶體振蕩器關(guān)閉一段時(shí)間t1(例如24小時(shí))，開(kāi)啟一段時(shí)間t2(例如4小時(shí))，并且測(cè)量測(cè)量的頻率f1。晶體振蕩器在相同的時(shí)間段t1被關(guān)閉，在相同的時(shí)間段t2被開(kāi)啟，并且測(cè)量測(cè)量的頻率f2。再現(xiàn)性=(f2-f1)/f2。

頻率電壓控制范圍:將頻率控制電壓從參考電壓調(diào)整到規(guī)定的端電壓，以及石英晶體振蕩器頻率的最小峰值變化。

頻率-電壓控制線性度:與理想(線性)函數(shù)相比，輸出頻率-輸入控制電壓傳輸特性的量度，該函數(shù)以百分比表示整個(gè)范圍內(nèi)頻率偏移的允許非線性度。